Hvad er to kemiske reaktioner, der bruges til at fremstille siliciumchips?

1. Oxidation:

* reaktion: Silicium (Si) + ilt (O2) → Siliciumdioxid (SiO2)

* proces: Denne reaktion danner et beskyttende lag af siliciumdioxid (SiO2), også kendt som silica, på overfladen af ​​siliciumskiven. Dette lag fungerer som en isolator, der forhindrer uønskede elektriske forbindelser og tilvejebringer en stabil overflade til videre behandling.

* Formål: Opretter et barrierelag til efterfølgende trin, definerer mønstre for transistorer og hjælper med doping.

2. Doping:

* reaktion: Silicium (SI) + Dopingmiddel (f.eks. Bor, fosfor, arsen) → Dopet silicium

* proces: Denne proces involverer introduktion af urenheder (dopingmidler) i siliciumkrystallgitteret. Disse urenheder kan enten tilføje ekstra elektroner (doping af N-type) eller skabe "huller" for elektroner at bevæge sig (P-type doping).

* Formål: Dopanter kontrollerer den elektriske ledningsevne af silicium, hvilket muliggør oprettelse af P-N-kryds, som er grundlæggende for transistorer og andre halvlederindretninger.

Dette er kun to eksempler på de mange kemiske reaktioner involveret i fremstilling af siliciumchip. Processen er ekstremt kompleks og involverer mange andre reaktioner som ætsning, afsætning og fotolitografi.