E-tekstiler får modeopgradering med hukommelsesopbevarende fiber

Integrationen af ​​elektronik i tekstiler er et spirende forskningsfelt, der snart kan muliggøre smarte stoffer og bærbar elektronik. At bringe denne teknologi et skridt tættere på at blive realiseret, Jin-Woo Han og Meyya Meyyappan på Center for Nanoteknologi ved NASA Ames Research Center i Moffett Field, Californien, har udviklet et nyt fleksibelt hukommelsesstof vævet sammen af ​​sammenlåsende tråde af kobber- og kobberoxidtråde. På hvert tidspunkt, eller sy langs stoffet, en nanoskala af platin placeres mellem fibrene. Denne "sandwichstruktur" ved hver krydsning danner et resistivt hukommelseskredsløb. Resistiv hukommelse har fået stor opmærksomhed på grund af enkelheden i dens design.

Som beskrevet i AIP's journal AIP forskud , kobberoxidfibrene fungerer som lagringsmedium, fordi de er i stand til at skifte fra en isolator til en leder blot ved at anvende en spænding. Kobbertrådene og platinlagene tjener som bund- og topelektroder, henholdsvis. Dette design egner sig let til tekstiler, fordi det naturligt danner en tværstangshukommelsesstruktur, hvor fibrene skærer hinanden. Forskerne udviklede en reversibel, omskriveligt hukommelsessystem, der var i stand til at gemme oplysninger i mere end 100 dage.

I dette proof-of-concept design, kobbertrådene var en millimeter tykke, selvom tråd med mindre diameter ville muliggøre en stigning i hukommelsestæthed og en reduktion i vægt. I praktiske anvendelser, e-tekstiler skulle integrere et batteri eller en generator, sensorer, og et beregningsmæssigt element, samt en hukommelsesstruktur. Taget sammen, en e-tekstil kan potentielt opdage biomarkører for forskellige sygdomme, overvåge vitale tegn på ældre eller personer i fjendtlige miljøer, og derefter overføre disse oplysninger til læger.