Sekskantet bornitrid muliggør fremstilling af 2-dimensionelle elektroniske minder

Brugen af ​​todimensionelle (2-D) lagdelte materialer til at forbedre mulighederne for elektroniske enheder er en lovende strategi, som for nylig har vundet stor interesse i både den akademiske verden og industrien. Imidlertid, mens forskningen i 2-D metalliske og halvledende materialer er veletableret, detaljeret viden og anvendelser af 2-D isolatorer er stadig knap.

Forskergruppen ledet af Dr. Mario Lanza, en Young 1000 Talent Professor født i Barcelona (Spanien) og baseret på Soochow University (Kina), leder en global indsats for at undersøge egenskaberne af lagdelt dielektrikum. I hans seneste Avancerede funktionelle materialer papir, Prof. Lanza og kolleger konstruerede en familie af resistive random access memory (RRAM) ved hjælp af flerlags hexagonal bornitrid (h-BN) som dielektrisk. De patenterede enheder viser sameksistensen af ​​at danne fri bipolær og tærskeltype resistiv switching (RS) med lave driftsspændinger ned til 0,4 V, høje strøm til/fra forhold op til 1, 000, 000, og lover retentionstider over 10 timer, samt lav cyklus-til-cyklus og enhed-til-enhed variabilitet. RS drives af korngrænserne (GB'erne) i den polykrystallinske h-BN-stak, som tillader indtrængning af metalliske ioner fra tilstødende elektroder. Denne reaktion kan forstærkes af genereringen af ​​B -stillinger, som er mere rigelige på GB'erne.

Denne undersøgelse er udviklet i samarbejde med Massachusetts Institute of Technology, Stanford University og Harvard University (blandt andre). Disse resultater kan have væsentlige konsekvenser for udviklingen af ​​digitale elektroniske enheder lavet af 2-D materialer.