Nanobridges viser vej til nanomasseproduktion

Forskere ved University of California, Berkeley, har demonstreret en ny metode til at skabe nanobroer, der kan føre til masseproduktion af enheder i nanoskala. Teknikken, som bruger en kombination af litografi og ætsning, giver mulighed for præcis placering af individuelle nanobroer med en høj grad af nøjagtighed. Dette kunne muliggøre udviklingen af ​​nye elektroniske enheder i nanoskala, såsom transistorer og sensorer, samt andre nano-elektromekaniske systemer (NEMS).

Nanobroer er bittesmå strukturer, der består af en smal stribe materiale, der forbinder to større stykker materiale. De bruges ofte i elektroniske enheder til at styre strømstrømmen. Men traditionelle metoder til at skabe nanobroer er komplekse og tidskrævende, hvilket gør dem upraktiske til masseproduktion.

Den nye teknik udviklet på Berkeley bruger en proces kaldet "selvjusteret nanowire litografi" til at skabe nanobroerne. Denne proces begynder med aflejring af et tyndt lag materiale, såsom silicium eller metal, på et substrat. Materialet mønstres derefter ved hjælp af en litografisk proces for at skabe en række smalle linjer. Disse linjer ætses derefter ved hjælp af en reaktiv ionætsningsproces (RIE) for at danne nanobroerne.

Fordelen ved denne teknik er, at den giver mulighed for præcis placering af individuelle nanobroer med en høj grad af nøjagtighed. Dette er vigtigt for udviklingen af ​​enheder i nanoskala, da den præcise placering af komponenter er afgørende for korrekt drift.

Forskerne demonstrerede teknikken ved at skabe en række nanobroer med forskellige bredder og længder. De fandt ud af, at nanobroerne kunne placeres nøjagtigt med en tolerance på mindre end 10 nanometer. Dette niveau af nøjagtighed er tilstrækkeligt til udviklingen af ​​mange enheder i nanoskala.

Forskerne mener, at den selvjusterede nanotrådslitografi potentielt kan reducere omkostningerne og kompleksiteten ved fremstilling af enheder i nanoskala. Dette kan åbne op for nye muligheder for udvikling af en bred vifte af elektroniske enheder i nanoskala, herunder transistorer, sensorer og NEMS.

Forskningen blev offentliggjort i tidsskriftet Applied Physics Letters.