'Strained' kvanteprikker viser nye optiske egenskaber

Kvanteprikker er små halvlederpartikler, der har unikke optiske og elektroniske egenskaber. De bruges ofte i optoelektroniske enheder, såsom lasere og solceller. Kvanteprikkernes ydeevne kan dog begrænses af deres belastning.

Deformation er et mål for, hvor meget et materiale strækkes eller komprimeres. I kvanteprikker kan belastning være forårsaget af en række faktorer, såsom størrelsen af ​​prikken, typen af ​​halvledermateriale og temperaturen.

Stamme kan have en betydelig indvirkning på kvanteprikkernes optiske egenskaber. For eksempel kan belastning få emissionsbølgelængden af ​​en kvanteprik til at skifte. Dette kan bruges til at justere farven på lys, der udsendes af kvanteprikker.

Strain kan også påvirke effektiviteten af ​​kvanteprikker. I nogle tilfælde kan belastning øge effektiviteten af ​​kvanteprikker ved at reducere antallet af defekter i materialet. I andre tilfælde kan belastning reducere effektiviteten af ​​kvanteprikker ved at øge mængden af ​​spredning i materialet.

Studiet af stamme i kvanteprikker er et vigtigt forskningsområde. Ved at forstå, hvordan belastning påvirker de optiske egenskaber af kvanteprikker, kan forskere designe og fremstille kvanteprikker med forbedret ydeevne til brug i optoelektroniske enheder.

I en nylig undersøgelse undersøgte forskere fra University of California, Berkeley, de optiske egenskaber af anstrengte kvanteprikker. Forskerne dyrkede kvanteprikker af forskellige størrelser og former og målte derefter deres emissionsbølgelængder og effektivitet.

Forskerne fandt ud af, at emissionsbølgelængden af ​​kvanteprikker steg med stigende belastning. Dette skyldes, at belastning får halvledermaterialets båndgab til at øges, hvilket igen får det udsendte lys til at have en højere energi.

Forskerne fandt også ud af, at effektiviteten af ​​kvanteprikker faldt med stigende belastning. Dette skyldes, at belastning kan øge antallet af defekter i materialet, som kan fungere som spredningscentre for lys.

Resultaterne af denne undersøgelse giver ny indsigt i virkningerne af belastning på de optiske egenskaber af kvanteprikker. Disse oplysninger kan bruges til at designe og fremstille kvanteprikker med forbedret ydeevne til brug i optoelektroniske enheder.