Ny undersøgelse af lav støj og højtydende transistorer kan bringe innovationer inden for elektronik, sansning

En undersøgelse af lav støj og højtydende transistorer ledet af Suprem Das, adjunkt i industri- og produktionssystemteknik, i samarbejde med forskere ved Purdue University, blev for nylig udgivet af Fysisk gennemgang anvendt .

Undersøgelsen har vist mikro/nanoskala transistorer fremstillet af todimensionale atomare tynde materialer, der viser høj ydeevne og lav støj. Enhederne er mindre end en hundrededel af diameteren på et enkelt menneskehår og kan være nøglen til innovativ elektronik og præcisionsmåling.

Mange forskere verden over fokuserer opmærksomheden på at bygge den næste generation af transistorer ud fra atomare skala "eksotiske" 2-D materialer såsom molybdæn di-selenid. Disse materialer er lovende, fordi de viser højtydende transistor-handling, der kan, i fremtiden, erstatte nutidens siliciumelektronik. Imidlertid, meget få af dem ser på endnu et vigtigt aspekt:​​den iboende elektroniske støj i denne nye materialeklasse. Elektronisk støj er allestedsnærværende for alle enheder og kredsløb og forværres kun, når materialet bliver atomart.

En nylig undersøgelse foretaget af Das 'forskergruppe har systematisk vist, at hvis man kan kontrollere lagtykkelsen mellem 10 og 15-atomart tynd i en transistor, enheden viser ikke kun høj ydeevne - f.eks. at tænde kontakten - men oplever også meget lav elektronisk støj. Denne unikke opdagelse er afgørende for at bygge adskillige muliggørende teknologier inden for elektronik og sansning ved hjælp af en række nye 2-D materialer. Denne forskning er en omfattende indsats af et tidligere fund, hvor Das 'team gennemførte den første undersøgelse af støj i MoSe2 -transistorer.