Daggry af organisk enkeltkrystal elektronik

Forskere ved Institute for Molecular Science, National Institutes of Natural Sciences (Japan) har udviklet en metode til højtydende doping af organisk enkeltkrystal. Desuden, det lykkedes dem at måle Hall -effekten af ​​krystallen - verdens første sag. Forskningen er blevet offentliggjort i Avancerede materialer .

Kontrol af "huller" og "elektroner", der er ansvarlige for elektrisk ledning af halvledere af p-type og n-type ved doping-tilføjelse af en urenhed-havde været den centrale teknologi i det 20. århundredes uorganiske enkeltkrystalelektronik repræsenteret af siliciumchips, solceller, og lysdioder. Antallet af bærere (huller og elektroner) skabt af doping og deres bevægelseshastighed (mobilitet) kan frit vurderes ved "Hall -effektmåling" ved hjælp af et magnetfelt. Imidlertid, inden for organisk elektronik, der dukker op i det 21. århundrede, ingen har nogensinde forsøgt at doppe urenheder i en organisk enkeltkrystal selv eller måle dens Hall -effekt.

"Vi har kombineret rubren organisk enkeltkrystalvækstteknik med vores originale ultra-langsomme aflejringsteknik på en milliarddel af et nanometer (10- 9 nm) i sekundet, som inkluderer en roterende lukker med blænde. "forklarer Chika Ohashi, en ph.d. -studerende, SOKENDAI i gruppen. "For første gang, Det er lykkedes os at producere 1 ppm dopet organisk enkeltkrystal og har registreret dets Hall -effekt -signal. "Dopingseffektiviteten af ​​den organiske enkeltkrystal var 24%, hvilket er en meget højere ydelse sammenlignet med 1% for den vakuumafsatte amorfe film af det samme materiale.

Laboratorieleder Prof. Masahiro Hiramoto ser de nuværende resultater have betydningen af ​​daggry for organisk enkeltkrystal elektronik svarende til silicium enkeltkrystal elektronik. I fremtiden, enheder såsom højtydende organiske enkeltkrystal solceller kan blive udviklet.