Omfattende oversigt over elektronisk transport i grafen offentliggjort

Forskere fra University of Maryland og CNSTs Shaffique Adam har for nylig offentliggjort en detaljeret gennemgang af de elektroniske transportegenskaber af todimensionel grafen.

I artiklen Reviews of Modern Physics, samarbejdspartnerne sammenligner grafens elektroniske transportegenskaber med andre todimensionelle materialer såsom halvleder-heterostrukturer, kvantebrønde, og inversionslag.

De beskriver hvordan, efter justering for dopet grafen's gapless, masseløs, chiralt Dirac spektrum, mekanismerne for dets elektronbevægelse, inklusive dens massefylde og temperaturafhængig transport af transport, ligner disse andre, mere konventionel, materialer.

grafen, imidlertid, har unikke transportsystemer, inklusive en robust metallisk tilstand ved forsvindende bærertæthed og usædvanlig kvantebevægelse, der opstår, når den er konfigureret i korte ballistiske enheder.

Artiklen på 64 sider, som har 38 figurer og 473 referencer, giver en omfattende gennemgang af nyere eksperimenter og teori, og er blevet godt modtaget.

Selvom udgivet i maj 2011, et fortryk af artiklen lagt ud online i marts 2010 har modtaget over 60 citater, gør det blandt årets mest citerede grafenpapirer.