Eksperter udvikler nanolasere på silicium

Forskere ved Cardiff University har vist, at små lysemitterende nanolasere, der er mindre end en tiendedel af størrelsen af ​​bredden af ​​et menneskehår, kan integreres i siliciumchipdesign.

De fotoniske båndkantlasere kan fungere ved superhurtige hastigheder og har potentialet til at hjælpe den globale elektronikindustri med at levere en række nye applikationer – fra optisk databehandling til fjernmåling og varmesøgning,

Professor Diana Huffaker er videnskabelig direktør for Cardiff University's Institute for Compound Semiconductors, baseret på Cardiff University's School of Physics and Astronomy.

"Dette er den første demonstration, der viser, hvordan fotoniske båndkantlasere kan integreres direkte på mønstrede silicium-på-isolator-platforme, " sagde professor Huffaker.

"Silicon er det mest udbredte materiale i halvlederindustrien. det har været svært at integrere kompakte lyskilder på dette materiale. Vores forskning bryder igennem denne barriere ved at udvikle ekstremt små lasere integreret på siliciumplatforme, gælder for forskellige siliciumbaserede elektroniske, optoelektronisk, og fotoniske platforme."

Papiret, "Rum-Temperatur InGaAs Nanowire Array Band-Edge Lasere på mønstrede silicium-på-isolator platforme, " er blevet offentliggjort i Physica Status Solidi—RRL .

Professor Huffaker er ICS) og Sêr Cymru Chair i Advanced Engineering and Materials.

Hendes forskningsekspertise ligger i nanoskala epitaksi, fremstilling og optoelektroniske enheder. Aktive projekter omfatter 3-D nanolasere, avancerede fotodetektorer og solcelleanlæg.

Dr. Wyn Meredith, direktør for Compound Semiconductor Center, et Joint Venture mellem IQE Plc og Cardiff University, sagde:"Denne forskning vil have langsigtede implikationer i det hastigt voksende felt af fotonik, med særlig vægt på at drive commoditisation af høj volumen, højspecifikke optiske komponenter til massemarkedskommunikation og registreringsapplikationer."