Egenskaber ved silicium- og Germanium-dioder

Når vi tænker på elektroniske enheder, tænker vi ofte på, hvor hurtigt disse enheder fungerer, eller hvor længe vi kan betjene enheden, inden batteriet genoplades. Hvad de fleste ikke tænker på, er, hvad komponenterne i deres elektroniske enheder er lavet af. Mens hver enhed er forskellig i sin konstruktion, har disse enheder alle én ting til fælles - elektroniske kredsløb med komponenter, der indeholder de kemiske elementer silicium og germanium.

TL; DR (for lang; ikke læst)

Silicium og germanium er to kemiske elementer kaldet metalloider. Både silicium og germanium kan kombineres med andre elementer kaldet dopingmidler for at skabe elektroniske enheder i fast tilstand, såsom dioder, transistorer og fotoelektriske celler. Den primære forskel mellem silicium- og germaniumdioder er den spænding, der er nødvendig for at dioden kan tænde (eller blive ”fremadspændt”). Siliciumdioder kræver 0,7 volt for at blive fremadrettede, mens germaniumdioder kun kræver 0,3 volt for at blive fremadrettede.
Hvordan kan man forårsage metalloider til at lede elektriske strømninger