Forskere opdager flerlags båndgab ved hjælp af sin egen teknologi

Koreanske forskere ved DGIST har bevist eksistensen af ​​det øvre båndgab af atomart rheniumdisulfid (ReS ₂ ) lag i den ledende atomare struktur af ioniseringsenergi. Arbejdet er resultatet af en fælles undersøgelse med professor Jong-hyun Ahns forskerhold ved Yonsei University.

Den akademiske verden har kun teoretisk forudsagt ioniseringsenergiområdet for 2-D atomare strukturer og haft vanskeligheder med at bevise den faktiske eksistens af struktur. Imidlertid, Professor Hyunmin Kims forskerhold ved DGIST kunne observere den faktiske struktur ved hjælp af et tidsopløst anden harmonisk generation (TSHG) billeddannelsessystem, det udviklede, beviser eksistensen af ​​disulfidbåndspaltelag.

Systemet kan generere billeder af lyden fra en atomare lagstruktur i høj opløsning. Det øgede målefølsomheden af ​​spredningseffekterne af lagstøj og observerede elektronbevægelser inde i overgangsbånd, som består af synlige stråler og næsten ultraviolette stråler, ved at bruge sonderingsenergien fra den infrarøde båndbredde.

Dr. Kim sagde, "Gennem denne forskning, vi vil være i stand til at afklare strukturen af ​​flerlags båndgab, der eksisterer i forskellige atopiske strukturer udover det rheniumdisulfid, der blev observeret denne gang. Det gav vigtige elementer til at analysere de uidentificerede årsager til elektroniske aktiviteter, som bidrager til at drive de optiske sensorer og fotokatalysatorer af forskellige 2D-strukturer. I fremtiden, Jeg håber at udvikle en enhed, der fungerer både optisk og elektrisk med et nyt båndgab."

Professor Lee, der beregnede teorierne, der førte til denne forskning, sagde, "Vi kunne observere båndgab i flere lag i denne forskning, som i høj grad vil hjælpe med relaterede undersøgelser, såsom observation af båndgab i forbindelsesstrukturer og forbedring af enhedsagglomerering i fremtiden."

Denne undersøgelse blev offentliggjort i Lys:Videnskab og anvendelse den 28. november, 2018.