Fuldt epitaksielle mikrohulrum:Åbn døren for kvanteoptoelektroniske effekter i det GaN-baserede system

For allerførste gang, et team af forskere i Tyskland har introduceret kvanteprikker i fuldt epitaksielle nitridlaserstrukturer uden behov for hybridsystemer - effektivt eliminerer den besværlige metode til at kombinere forskellige materialer fra epitaksi og fordampning. Dette skulle være med til at bane vejen for en yderligere optimering af lasere og enkeltfotonemittere i det synlige spektrumområde, ifølge holdet.

En detaljeret beskrivelse af deres resultater findes i journalen Anvendt fysik bogstaver , som er udgivet af American Institute of Physics (AIP).

"Gallium-nitrid-baserede laserdioder er meget lovende materialer til udvikling af effektive lyskilder i det UV-blå til grønne spektralområde. De er allerede i brug, for eksempel, i BluRay (high-data-storage disc)-afspillere, " forklarer Kathrin Sebald, optikteamets senior postdoc-forsker fra University of Bremens Institute of Solid State Physics. "Ved at reducere størrelsen af ​​det optisk aktive materiale ned til nanometerskalaen (kvanteprikker), effektiviteten af ​​sådanne enheder kan øges meget yderligere - åbne døren for brugen af ​​kvanteoptoelektroniske effekter."

Når det kombineres med optiske mikrokaviteter, det udsendte lys kan begrænses til ultrasmå volumener ved resonansrecirkulation. I sådanne kvanteoptiske enheder, mikrohulrum kan lokke kvanteprikker til at udsende spontane fotoner i en ønsket retning, hvilket fører til et enormt øget output, Sebald noter. Anvendelser af disse enheder er lige så forskellige som deres egenskaber.