STM af individuelle korn i CVD-dyrket grafen

Brugere fra Purdue University, arbejder i samarbejde med personale i CNM Electronic &Magnetic Materials &Devices Group, studerede CVD-dyrket grafen på polykrystallinsk kobberfolie for første gang i atomskala. Ultrahøj vakuum scanning tunneling mikroskopi (UHV-STM) fund udført på CNM vil hjælpe med at guide optimeringen af ​​syntese mod defektfri grafen.

Fokus for denne undersøgelse var at undersøge kvaliteten af ​​filmene og de relative orienteringer af forskellige grafendomæner ved hjælp af UHV-STM-facilitet på CNM. Det seneste papir omhandler også de resulterende konsekvenser for domænegrænseffekter på transportejendomme.

Arbejdet følger tidligere undersøgelser foretaget på CNM, der undersøgte grafen på single-crystal Cu (111). Ligesom enkeltkrystalværket, det blev vist, at domænegrænser dramatisk påvirker bærermobiliteten af ​​grafenarkene. Evnen til at syntetisere grafen af ​​høj kvalitet til storskala integration er en af ​​de centrale udfordringer for dette materialesystem. Grundlæggende STM-eksperimenter udført i atomskala har muliggjort undersøgelse af defekter i de film, der vokser.

Forskere fra University of Houston, Texas State University, Carl Zeiss SMT, og Center for funktionelle nanomaterialer deltog også i undersøgelsen, som fremhæves som omslagsbillede af Naturmaterialer .