Hvad er forskellen mellem en bipolar transistor og felteffekttransistor?

Bipolar Junction Transistor (BJT) vs. Field Effect Transistor (FET)

Både BJT'er og FET'er er tre-terminale halvlederenheder, der bruges til at forstærke og skifte elektroniske signaler. De adskiller sig imidlertid i deres driftsprincipper, konstruktion og egenskaber:

1. Driftsprincip:

* BJT: Den nuværende strøm gennem en BJT styres af basisstrømmen . En lille basestrøm kan kontrollere en meget større samlerstrøm. BJT er en strømstyret enhed .

* fet: Den nuværende strøm gennem en FET styres af gate -spænding . En ændring i portspænding ændrer kanalens ledningsevne og kontrollerer således strømmen. FET er en spændingsstyret enhed .

2. Konstruktion:

* BJT: BJTS er lavet af to PN -kryds -Et base-emitterkryds og et basis-samlerkryds. Basen er en tynd, let doteret region, der er klemt mellem emitteren og samleren.

* fet: FETS består af et enkelt PN -kryds (for JFETs) eller A metal-oxid-halvleder (MOS) struktur (for Mosfets). Porten er isoleret fra kanalen med et oxidlag.

3. Egenskaber:

BJT:

* Højere strømgevinst: BJT'er har generelt en højere strømgevinst (β) end FET'er.

* lavere inputimpedans: BJT'er har lavere inputimpedans end FET'er.

* Mere følsom over for temperaturændringer: BJTS udviser en højere temperaturfølsomhed end FET'er.

* mere modtagelig for støj: BJTS har en tendens til at være mere modtagelige for støj end FET'er.

fet:

* Højere inputimpedans: FET'er har en højere inputimpedans end BJTS.

* lavere strømforbrug: FETS forbruger generelt mindre strøm end BJTS.

* Nedre støj: FET'er har en tendens til at have lavere støj end BJT'er.

* bred vifte af driftsfrekvenser: FET'er er egnede til højfrekvente applikationer.

4. Ansøgninger:

* BJT: Forstærkere, switches, oscillatorer, logiske kredsløb, kraftelektronik og mange flere.

* fet: Lav-støjforstærkere, RF-kredsløb, sensorer, højfrekvente forstærkere og mere.

Sammendragstabel:

| Funktion | BJT | Fet |

| --- | --- | --- |

| Kontrolmekanisme | Nuværende kontrolleret | Spændingsstyret |

| Konstruktion | To PN -kryds | Enkelt PN -kryds eller MOS -struktur |

| Aktuel gevinst | Høj | Lavere |

| inputimpedans | Lav | Høj |

| Temperaturfølsomhed | Høj | Lav |

| støj | Høj | Lav |

| strømforbrug | Høj | Lav |

| driftsfrekvens | Lavere | Højere |

Konklusion , både BJT'er og FET'er har deres styrker og svagheder, hvilket gør dem velegnede til forskellige applikationer. Valget mellem dem afhænger af de specifikke krav i kredsløbet.